重大突破！芯片光刻胶关键技术被攻克：原材料全部国产 配方全自主设计
发布时间：2024-12-27 22:47:38 作者：玩站小弟 
我要评论
我要评论快科技10月25日消息，据华中科技大学官微消息，近日，该校武汉光电国家研究中心团队，在国内率先攻克合成光刻胶所需的原料和配方，助推我国芯片制造关键原材料突破瓶颈。据介绍，其研发的T150A光刻胶系列产
。
快科技10月25日消息，重大自主据华中科技大学官微消息，突破近日，芯片该校武汉光电国家研究中心团队，光刻攻克在国内率先攻克合成光刻胶所需的胶关键技原料和配方，助推我国芯片制造关键原材料突破瓶颈。术被设计
据介绍，原材其研发的料全T150A光刻胶系列产品，已通过半导体工艺量产验证，部国实现了原材料全部国产，产配配方全自主设计，重大自主有望开创国内半导体光刻制造新局面。突破
公开资料显示，芯片光刻胶是光刻攻克一种感光材料，用于芯片制造的胶关键技光刻环节，工作原理类似于照相机的胶卷曝光。芯片制造时，会在晶圆上涂上光刻胶，在掩膜版上绘制好电路图。
当光线透过掩膜版照射到光刻胶上会发生曝光，经过一系列处理后，晶圆上就会得到所需的电路图。
由于光刻胶是芯片制造的关键材料，国外企业对其原料和配方高度保密，目前我国所使用的光刻胶九成以上依赖进口。
武汉光电国家研究中心团队研发的这款半导体专用光刻胶对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。
相较于国外同系列某产品，T150A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大、稳定性更高、留膜率更优，其对刻蚀工艺表现更好，通过验证发现T150A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。
团队负责人表示：“以光刻技术的分子基础研究和原材料的开发为起点，最终获得具有自主知识产权的配方技术，这只是个开始。我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，致力于突破国外卡脖子关键技术，为国内相关产业带来更多惊喜。”
相关文章
29日，上证综指探底回升，呈现V型走势，收盘涨0.13%报3337.86点，盘中下挫近1%考验3300点；深成指一度下挫1.3%，收盘跌0.08%报11082.13点。创业板指跌0.36%，收报1782024-12-27
最新数据显示，截至11月28日，华夏回报混合A基金今年来净值增长率为29.21%，超过其业绩比较基准(一年定期存款利率)27个百分点。同时该基金注重将投资收益及时转化为红利，年内分红6次，自成立以来累2024-12-27
1月9日，央行公开市场操作连续第12日停做，到期的1300亿元逆回购实现自然净回笼。自2017年12月21日以来，央行逆回购到期持续造成资金净回笼，累计净回笼规模已达10600亿元。市场人士指出，随着2024-12-27
中国青年网北京3月19日电 天眼查显示，3月18日，因未按执行通知书指定的期间履行生效法律文书确定的给付义务，许家印及中国恒大新增一则限制消费令，涉及借款合同纠纷案件，申请人为湖北银行股份有限公司咸宁2024-12-27
2017年10月全国大中城市房价情况：15个城市新建住房环比下降
国家统计局18日发布的数据显示，10月份房价总体稳定。70个大中城市中一线城市新房价格环比下降，二手房价格持平。国家统计局初步测算，10月份，二线城市新建商品住宅价格环比上涨0.32024-12-27
今日,两市开盘不一，但开盘后系数上行，尤其是石油板块的拉升下，指数连续走高，但与此同时，金融股表现较差，小盘股迎来分化，指数上行后保持高位震荡。午后，指数小幅回落后在中国石油、中国石化的带领下再度拉升2024-12-27
最新评论